SI5902BDC-T1-GE3
Vishay Siliconix
Deutsch
Artikelnummer: | SI5902BDC-T1-GE3 |
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Hersteller / Marke: | Vishay / Siliconix |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8 |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
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Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $1.32 |
10+ | $1.177 |
100+ | $0.9177 |
500+ | $0.7581 |
1000+ | $0.5985 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | 1206-8 ChipFET™ |
Serie | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65mOhm @ 3.1A, 10V |
Leistung - max | 3.12W |
Verpackung / Gehäuse | 8-SMD, Flat Lead |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 220pF @ 15V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7nC @ 10V |
FET-Merkmal | Logic Level Gate |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 4A |
Konfiguration | 2 N-Channel (Dual) |
Grundproduktnummer | SI5902 |
SI5902BDC-T1-GE3 Einzelheiten PDF [English] | SI5902BDC-T1-GE3 PDF - EN.pdf |
MOSFET P-CH 20V 6A PPAK CHIPFET
SI5902DC-T1-GE3 V
MOSFET N-CH 20V 6A PPAK CHIPFET
MOSFET 2P-CH 20V 2.1A 1206-8
SI5902DC VISHAY
MOSFET N-CH 20V 6A PPAK CHIPFET
MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8
MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8
SI5903DC-T1 VISHAY
MOSFET N-CH 20V 6A PPAK CHIPFET
VISHAY 2011+RoHS
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VBSEMI ECH8
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MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 1206-8
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2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() SI5902BDC-T1-GE3Vishay Siliconix |
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Zielpreis (USD)
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